H5ANAG6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $8.09
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
インターフェース DDR4 (CMOS) —
パッケージ PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96 (PBGA-96)
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
動作温度 -40C to +95C -40C to +95C
Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported Yes (RESET_n)
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported Yes
Write Leveling Supported Yes
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
RoHS ステータス RoHS Compliant Compliant
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
メモリサイズ — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Technology — CMOS
実装タイプ — Surface Mount
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC Function — Yes (command/address CRC)

データシート&リソース

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