H5ANAG6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | DDR4 (CMOS) | — |
| Boîtier | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes (RESET_n) |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Write Leveling | Supported | Yes |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| Statut RoHS | RoHS Compliant | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |