H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NAMR-UHC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCMR-XNI メーカー: SK hynix および H5ANAG6NAMR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM x16 1.2V | SK hynix

H5ANAG6NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM x16 1.2V | SK hynix

H5ANAG6NAMR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NAMR-UHC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.95 $4.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) —
電源電圧 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM —
Power Class Normal Power Normal Power
パッケージ FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
インターフェース Parallel (DDR4) —
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
メモリ構成 — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
インターフェースタイプ — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
ライフサイクル状態 — Active production

データシート&リソース

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