H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NAMR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCMR-XNI 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCMR-XNI | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.95 | $4.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM | — |
| Power Class | Normal Power | Normal Power |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | — |
| Product Status | Active | — |
| Application Domain | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speed Bin Family | UH/VK/WM/XN | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| VPP Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| 메모리 구성 | — | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 수명 주기 상태 | — | Active production |