H5ANAG8NBJR-PBC vs MT40A1G8AG-062E 比較
詳細な並列比較: H5ANAG8NBJR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG8NBJR-PBC | MT40A1G8AG-062E |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Micron Technology |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $31.50 | $3.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| メモリ構成 | x8 | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| パッケージ | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Prefetch | 8n | — |
| インターフェースタイプ | Parallel, SSTL12 | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | — |
| Die Revision | BJR | — |
| RoHS ステータス | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns class (-062E speed grade) |
| Temperature Grade | — | Automotive (AUT) |
| Access Time (CAS Latency class) | — | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CA Parity | — | Supported (DDR4 command/address parity) |
| Packaging Option | — | Tape and Reel (TR / :R suffix) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |