H5CG48MEBDX014N vs K4RAH086VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: H5CG48MEBDX014N メーカー: SK hynix および K4RAH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5CG48MEBDX014N K4RAH086VB-BCQK
ブランド SK hynix Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $41.68 $41.02
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
データレート 4800 Mbps 4800 Mbps (DDR5-4800)
電源電圧 1.1 V —
Row Address 12 bits —
Column Address 9 bits —
Die Generation M-die —
動作温度 0C to +95C 0C to 95C (commercial)
パッケージ FBGA-82 (11 x 10 mm) FBGA-82
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェースタイプ Parallel, DDR5 —
Memory Class Synchronous DRAM —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Class DDR5-4800 (PC5) —
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
インターフェース — Parallel
ECC — On-die ECC
Burst Length — BL32 (DDR5 standard)
Memory Format — DRAM (volatile)
DLL Mode — DLL Enabled (datasheet timing basis)
Product Status — Active
Packaging — Tray

データシート&リソース

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