H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix および NT5CC256M16ER-EKI メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-PBI NT5CC256M16ER-EKI
ブランド SK hynix Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $16.70
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
データレート DDR3-1600 (PC3L-12800) 933 MHz (DDR3L-1866)
電源電圧 1.35 V 1.35 V (1.5 V compatible)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
CASレイテンシ Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
動作温度範囲 -40°C to +95°C —
パッケージ 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
RoHS ステータス Compliant —
Density — 4 Gbit
動作温度 — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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