H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix и NT5CC256M16ER-EKI от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63AFR-PBI NT5CC256M16ER-EKI
Бренд SK hynix Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $16,70
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Скорость передачи данных DDR3-1600 (PC3L-12800) 933 MHz (DDR3L-1866)
Напряжение питания 1.35 V 1.35 V (1.5 V compatible)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
Задержка CAS Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C —
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Статус RoHS Compliant —
Density — 4 Gbit
Рабочая температура — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену