H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63MFR-PBA メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | Obsolete |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| データレート | 1866 Mbps (PC3L-14900) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| CASレイテンシ | — | Programmable |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |