IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6L025ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC28N08S5L230ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.71
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET OptiMOS-5 Power MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 28 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 23 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) — 2.5 V
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

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