IAUC100N04S6N015ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6N015ATMA1 メーカー: Infineon および BSC014N04LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6N015ATMA1 BSC014N04LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction, typical) -55C to +175C
パッケージ PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life) 1 (unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
RoHS ステータス — Compliant

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