IAUC100N04S6N015ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC100N04S6N015ATMA1 от Infineon и BSC014N04LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC100N04S6N015ATMA1 BSC014N04LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, typical) -55C to +175C
Корпус PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited floor life) 1 (unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 5
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену