IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6N015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN10S7L290TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V OptiMOS™ 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction, typical) —
パッケージ PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

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