IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5L011ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.10 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (Tj)
ピン数 — 8

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