IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5L011ATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6N031HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (Tj)
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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