IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L011ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.10 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (Tj)
핀 수 — 8

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