IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC100N10S5L040ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5L040ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $1.94
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC)
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-State Resistance RDS(on) max — 4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
Continuous Power Dissipation (Tc) — 167 W
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% production avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for automatic optical inspection

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