IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $0.86
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
パッケージ PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
実装タイプ Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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