IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC41N06S5N102ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.58 $0.94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101 (per part number suffix)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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