IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC50N08S5L096ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N08S5N043ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.98 $1.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
パッケージ PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
ピン数 — 8
湿気感度レベル(MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode — Enhancement

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼