IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC50N08S5L096ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N08S5N043ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $1.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
패키지 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
핀 수 — 8
습도 민감도 레벨 (MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode — Enhancement

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