IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L025ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) —
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

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