IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6L012ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) OptiMOS 6 40V
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +175 °C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
Delivery Form — Tape & Reel

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