IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L012ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 활성
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IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) OptiMOS 6 40V
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +175 °C (junction)
패키지 PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
Delivery Form — Tape & Reel

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