IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L005ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.85 $0.86
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (Tj)
パッケージ PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼