IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N015GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N006TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.21 $2.66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad)
動作接合温度 -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V]
RoHS ステータス Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 425 A
Power Dissipation (P_D, T_C) — 205 W
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) — 0.63 mΩ
Technology — OptiMOS 7 (shielded-gate trench)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Automotive Grade — Yes (Infineon automotive MOSFET line)
Lead-Free — Yes

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