IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N015GATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N006TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.21 $2.66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
패키지 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad)
동작 접합 온도 -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V]
RoHS 상태 Compliant Compliant
실장 유형 Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 425 A
Power Dissipation (P_D, T_C) — 205 W
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) — 0.63 mΩ
Technology — OptiMOS 7 (shielded-gate trench)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Automotive Grade — Yes (Infineon automotive MOSFET line)
Lead-Free — Yes

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