IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N006TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7N015GATMA1 | IAUCN04S7N006TATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,21 | $2,66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | 165 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (P_D) | 96 W (Tc) | — |
| R_DS(on) max | 1.53 mΩ at V_GS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Encapsulamento | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montagem | Surface Mount (IMS-compatible source-down) | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 425 A |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | — | 205 W |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | — | 0.63 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Automotive Grade | — | Yes (Infineon automotive MOSFET line) |
| Lead-Free | — | Yes |