IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N037GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
パッケージ SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
実装タイプ Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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