IAUCN08S7N036TATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN08S7N036TATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN08S7N036TATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $0.68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Polarity N-Channel Single N-channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 129 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.60 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 118 W (T_C = 25 °C) —
Input Capacitance (C_iss) 3120 pF (typ) —
Output Capacitance (C_oss) 1280 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 23 pF (max) —
Turn-on Delay Time (t_d(on)) 14 ns (typ) —
Rise Time (t_r) 8 ns (typ) —
Turn-off Delay Time (t_d(off)) 17 ns (typ) —
Fall Time (t_f) 8 ns (typ) —
パッケージ PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Cooling Top-side cooled —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec

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