IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUS260N10S5N019TATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ18N10S5L420ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 生産中
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IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
パッケージ PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 16 —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 trench
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Configuration — Single with built-in diode
MSLレベル — 1

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