IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUS260N10S5N019TATMA1 メーカー: Infineon および IPC100N04S5L1R5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 生産中
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUS260N10S5N019TATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
パッケージ PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 16 —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate —
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Product)
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
MSLレベル — MSL1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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