IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUS260N10S5N019TATMA1 par Infineon et IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUS260N10S5N019TATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 16 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (Tj) | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | — |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Niveau MSL | — | MSL1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% |