IAUT165N08S5N029ATMA2 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT165N08S5N029ATMA2 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ 生産中
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUCN08S7L033ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.30 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUT165N08S5N029ATMA2 —
Product Family OptiMOS™ 5 —
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 165 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) 660 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 2.9 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 167 W —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) 225 mJ —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) -55°C to +175°C (TJ)
パッケージ / ケース PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSL Rating MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Series — Automotive OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
パッケージ — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

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