IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IPG20N06S4L14AATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon および IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中
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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUT300N08S5N012ATMA2 IPG20N06S4L14AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C (junction)
パッケージ PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant Green Product (RoHS compliant)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Number — IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Technology — OptiMOS™ Trench

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