IAUT300N10S5N015ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUT300N10S5N015ATMA1 メーカー: Infineon および ISC011N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUT300N10S5N015ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.10 | $0.47 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 300 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C | — |
| パッケージ | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSLレベル | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | RoHS compliant (Green product) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| 動作温度 | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| RoHS ステータス | — | Compliant |