IAUT300N10S5N015ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUT300N10S5N015ATMA1 por Infineon y ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

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Comparación de especificaciones

Parámetro IAUT300N10S5N015ATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,10 $0,47
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Nivel MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
Estado RoHS — Compliant

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