IAUT300N10S5N015ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUT300N10S5N015ATMA1 제조: Infineon 및 ISC011N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUT300N10S5N015ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.10 | $0.47 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 300 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C | — |
| 패키지 | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | RoHS compliant (Green product) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| 동작 온도 | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| RoHS 상태 | — | Compliant |