IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ30N08S5N186ATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N10S5N130ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
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IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUZ30N08S5N186ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.48 | $0.52 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 41 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C (automotive) | -55°C to +175°C (TJ) |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |