IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ40N06S5L050ATMA1 メーカー: Infineon および BSC042NE7NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $1.24 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] | — |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | 90 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | 5 mΩ | — |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | 6.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 2.2 V at 29 µA | — |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | 28.2 nC | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 71 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) | OptiMOS 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C |
| MSLレベル | — | 1 |