IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 BSC042NE7NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $1.24
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 3
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
MSL 레벨 — 1

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