IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUZ40N06S5L050ATMA1 от Infineon и BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,71 | $1,24 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] | — |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | 90 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | 5 mΩ | — |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | 6.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 2.2 V at 29 µA | — |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | 28.2 nC | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 71 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) | OptiMOS 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C |
| Уровень MSL | — | 1 |