IAUZN04S7L025ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUZN04S7L025ATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUZN04S7L025ATMA1 IAUZN04S7L025ATMA1 - 40V 117A 2.56mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L025ATMA1 - 40V 117A 2.56mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L025ATMA1 ✓ 生産中
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ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUZN04S7L025ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
RoHS ステータス — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

データシート&リソース

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