IAUZN04S7L025ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZN04S7L025ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZN04S7L025ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Status RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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