IDD06SG60CXTMA2 vs IDD04SG60CXTMA2 比較

詳細な並列比較: IDD06SG60CXTMA2 メーカー: Infineon および IDD04SG60CXTMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 - 600V 4A SiC Schottky Diode DPAK | Infineon

IDD04SG60CXTMA2 - 600V 4A SiC Schottky Diode DPAK | Infineon

IDD04SG60CXTMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IDD06SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Diodes Diodes
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.54 $0.74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ Schottky Diode G3 (thinQ™) CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode
Diode Configuration Single —
Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky —
Reverse Voltage (VRRM) 600 V —
Continuous Forward Current (IF) 6 A —
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) [DATA_NEEDED: IFRM] —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 32 A —
Forward Voltage (VF) at IF=6A 2.1 V (typical) —
Reverse Current (IR) Max 500 nA —
Total Capacitive Charge (Qc) [DATA_NEEDED: Qc value] 4.5 nC
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK) —
実装スタイル Surface Mount (SMD/SMT) —
Packaging Cut Tape (Tape & Reel per factory standard) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Device Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 600 V
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C — 4 A
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms — [DATA_NEEDED: IFSM surge rating]
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C — 1.5 V
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V — [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V]
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C — [DATA_NEEDED: IR max at 600 V]
動作接合温度範囲 — -55 C to +175 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
パッケージ — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab
実装タイプ — Surface Mount
Lead-Free Finish — Yes (Sn plating)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
ハロゲンフリー — Yes

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