IGW40N120H3FKSA1 vs IHW40N120R5XKSA1 比較

詳細な並列比較: IGW40N120H3FKSA1 メーカー: Infineon および IHW40N120R5XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 - 1200V TrenchStop IGBT3 80A TO-247 | Infineon

IGW40N120H3FKSA1 - 1200V TrenchStop IGBT3 80A TO-247 | Infineon

IGW40N120H3FKSA1 ✓ 生産中
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IGW40N120H3FKSA1 IHW40N120R5XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ IGBTs IGBTs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.07 $3.50
Manufacturer Infineon Technologies —
Series TRENCHSTOP™ IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V —
Current - Collector (Ic) Max 80 A —
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A —
Power - Max 483 W —
Gate Charge (Qg) 185 nC —
Input Type Standard —
Operating Temperature (TJ) -40 °C to +175 °C —
実装タイプ Through Hole Through Hole
パッケージ / ケース PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Packaging Tube —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Continuous Collector Current (Ic) 40 A (per Infineon product page) —
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 1200 V
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) — 80 A
Pulsed Collector Current (ICM) — 160 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 394 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/-20 V
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C — [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (monolithic reverse-conducting)
Technology — Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5
パッケージ — TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole
動作接合温度 — -40C to +175C
Storage Temperature — -55C to +150C
Soldering Temperature (max 10s) — 260 C
Switching Application — Resonant / soft switching (induction cooking optimized)
RoHS Compliance — Compliant
ハロゲンフリー — Yes
MSLレベル — N/A (through-hole)

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