IMLT40R011M2HXTMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 比較

詳細な並列比較: IMLT40R011M2HXTMA1 メーカー: Infineon および ISZ056N03LF2SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IMLT40R011M2HXTMA1 IMLT40R011M2HXTMA1 - 400V 11mΩ SiC MOSFET CoolSiC G2 | Infineon

IMLT40R011M2HXTMA1 - 400V 11mΩ SiC MOSFET CoolSiC G2 | Infineon

IMLT40R011M2HXTMA1 ✓ 生産中
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ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IMLT40R011M2HXTMA1 ISZ056N03LF2SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.80 $0.49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC MOSFET 400V G2 —
トランジスタタイプ N-Channel SiC MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 400 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 144 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 429 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11 mΩ (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (benchmark) 2.35 V (typ)
Recommended Gate Drive Voltage 0 V to 18 V —
Technology Silicon Carbide (SiC) Gen-2 —
Body Diode Commutation-robust fast body diode, low Qrr —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
パッケージ PG-HDSOP-16-8 (surface mount, top-side cooled) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Interconnection Technology XT (best-in-class thermal performance) —
Operating Mode Enhancement mode —
Target Topologies 2- and 3-level hard- and soft-switching —
Target Applications AI server PSU, SMPS, motor drives —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series — StrongIRFET 2
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 72 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 5.6 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C

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