IPB020NE7N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB020NE7N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPB072N15N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS

IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS

IPB020NE7N3GATMA1 ✓ 生産中
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IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB020NE7N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.31 $2.84
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
パッケージ PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

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