IPB027N10N3GATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB027N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD046N08N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPB027N10N3GATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.62 | $0.78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| パッケージ | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | ROHS3 Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 4.6 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| 動作接合温度範囲 | — | -55 °C to +175 °C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |