IPB027N10N3GATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB027N10N3GATMA1 от Infineon и IPD046N08N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 - 80V 90A 4.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPD046N08N5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB027N10N3GATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ) —
Корпус PG-TO263-3 (D2PAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
Статус RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Диапазон рабочей температуры перехода — -55 °C to +175 °C
Корпус / Типоразмер — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену